IRLHS6242TRPBF vs IRLML2803TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLHS6242TRPBF द्वारा Infineon और IRLML2803TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLHS6242TRPBF | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (trench MOSFET) | IR MOSFET Generation V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±12 V | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 12 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 11.7 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 1.98 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 9.6 W | — |
| पैकेज | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55°C to +150°C | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRLML2803TRPBF |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.2 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 250 mOhm maximum |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | — | 3.3 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 540 mW |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (TJ) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| RoHS Compliance | — | Compliant, Halogen-Free |