IRLHS6242TRPBF vs IRLML2803TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLHS6242TRPBF bằng Infineon và IRLML2803TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLHS6242TRPBF IRLML2803TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET Generation V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
Hộp 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (TJ)
Cấp MSL — 1
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá