IRLHS6242TRPBF vs IRLML2803TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLHS6242TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML2803TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLHS6242TRPBF IRLML2803TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET Generation V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
پیکیج 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad Micro3 / SOT-23 (3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (TJ)
MSL لیول — 1
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں