IRLML2060TRPBF vs BSS123IXTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML2060TRPBF بواسطة Infineon و BSS123IXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLML2060TRPBF | BSS123IXTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 190 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | 500 mW |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | OptiMOS Small-Signal |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| مستوى MSL | MSL1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| RDS(on) (typical, VGS=10 V) | — | 2.4 ohm |
| RDS(on) (max per family datasheet) | — | 6 ohm |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (per family datasheet) |
| Qualification | — | Industrial |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (per distributor listing) |
| Gate Drive Logic Level | — | Logic-level compatible |