IRLML2060TRPBF vs BSS123IXTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLML2060TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও BSS123IXTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLML2060TRPBF BSS123IXTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A 190 mA
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W 500 mW
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +150C —
প্যাকেজ SOT-23 (Micro3, 3-pin) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) OptiMOS Small-Signal
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
MSL লেভেল MSL1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট