IRLML2060TRPBF vs BSS123IXTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML2060TRPBF بذریعہ Infineon اور BSS123IXTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML2060TRPBF BSS123IXTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A 190 mA
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W 500 mW
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج SOT-23 (Micro3, 3-pin) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) OptiMOS Small-Signal
RoHS اسٹیٹس Compliant —
ہیلوجن فری Yes —
MSL لیول MSL1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں