IRLML2060TRPBF vs BSS123IXTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLML2060TRPBF מאת Infineon ו BSS123IXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLML2060TRPBF | BSS123IXTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 190 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | 500 mW |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | OptiMOS Small-Signal |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| רמת MSL | MSL1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| RDS(on) (typical, VGS=10 V) | — | 2.4 ohm |
| RDS(on) (max per family datasheet) | — | 6 ohm |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (per family datasheet) |
| Qualification | — | Industrial |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (per distributor listing) |
| Gate Drive Logic Level | — | Logic-level compatible |