IRLML2803TRPBF vs IRLHS6242TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML2803TRPBF بواسطة Infineon و IRLHS6242TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLML2803TRPBF IRLHS6242TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
العلبة Micro3 / SOT-23 (3-pin) 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
مستوى MSL 1 —
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 11.7 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
Qualification — JEDEC standard

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر