IRLML2803TRPBF vs IRLHS6242TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML2803TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLHS6242TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML2803TRPBF IRLHS6242TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
پیکیج Micro3 / SOT-23 (3-pin) 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
MSL لیول 1 —
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 11.7 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C
Qualification — JEDEC standard

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں