IRLML2803TRPBF vs IRLHS6242TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLML2803TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLHS6242TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLML2803TRPBF IRLHS6242TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
প্যাকেজ Micro3 / SOT-23 (3-pin) 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
MSL লেভেল 1 —
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 11.7 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55°C to +150°C
Qualification — JEDEC standard

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট