IRLML2803TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2803TRPBF tarafından Infineon ve IRLHS6242TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML2803TRPBF IRLHS6242TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Paket Micro3 / SOT-23 (3-pin) 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 11.7 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +150°C
Qualification — JEDEC standard

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin