IRS2104STRPBF vs IR2117STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2104STRPBF بواسطة Infineon و IR2117STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2104STRPBF IR2117STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
البنية الطوبولوجية Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns —
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +150C —
العلبة 8-Lead SOIC (SOIC-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 (1 year floor life per datasheet) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Qualification Level Industrial —
حالة RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant
Configuration — High-Side Single Channel
الوظيفة — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
عدد المخارج — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
زمن الصعود — 80 ns (typ)
زمن السقوط — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
العلبة / الحالة — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر