IRS2104STRPBF vs IR2117STRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRS2104STRPBF tarafından Infineon ve IR2117STRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRS2104STRPBF IR2117STRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Ağ Yapısı Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns —
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL —
İşletim Jant Sıcaklığı -40C to +150C —
Paket 8-Lead SOIC (SOIC-8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 (1 year floor life per datasheet) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Qualification Level Industrial —
RoHS Durumu Compliant (PbF suffix) Compliant
Configuration — High-Side Single Channel
Fonksiyon — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Çıkış Sayısı — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Artış Süresi — 80 ns (typ)
Düşüş Süresi — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 C to +125 C
Paket / Kas — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin