IRS2104STRPBF vs IR2117STRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRS2104STRPBF bằng Infineon và IR2117STRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IR2117STRPBF IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRS2104STRPBF IR2117STRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Cấu trúc Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns —
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40C to +150C —
Hộp 8-Lead SOIC (SOIC-8) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 2 (1 year floor life per datasheet) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Qualification Level Industrial —
Trạng thái RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant
Configuration — High-Side Single Channel
Chức năng — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Số lượng đầu ra — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Thời gian tăng lên — 80 ns (typ)
Thời gian giảm dần — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40 C to +125 C
Hộp / Vỏ — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá