IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2153DPBF بواسطة Infineon و IRS2153DSTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة NRND نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
البنية الطوبولوجية Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
عدد المخارج 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +125C —
العلبة 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
مستوى MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
حالة RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
نوع التركيب — Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر