IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2153DPBF توسط Infineon و IRS2153DSTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر NRND فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
توپولوژی Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
تعداد خروجی‌ها 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
دمای اتصال کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
سطح MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
نوع نصب — Surface Mount
محدوده دمای کاری — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت