IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2153DPBF מאת Infineon ו IRS2153DSTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים NRND פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
טופולוגיה Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
מספר יציאות 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
טמפרטורת צומת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
רמת MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
סוג הרכבה — Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר