IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRS2153DPBF bằng Infineon và IRS2153DSTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời NRND Hoạt động
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Cấu trúc Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
Số lượng đầu ra 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40C to +125C —
Hộp 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
Cấp MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá