ITS4200SMENHUMA1 vs BSR315PH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ITS4200SMENHUMA1 بواسطة Infineon و BSR315PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ITS4200SMENHUMA1 BSR315PH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch —
البنية الطوبولوجية N-Channel MOSFET, High-Side —
Nominal Load Current 0.7 A —
On-State Resistance (Ron) [DATA_NEEDED: Ron typ/max] —
Operating Voltage Range 5 V to 41 V —
Overvoltage Protection (Load Dump) 41 V —
Input Logic Level CMOS-compatible —
Short-Circuit Protection Yes (current limitation) —
الإيقاف الحراري Yes (with restart) —
Undervoltage Shutdown Yes —
Open-Load Detection Yes (OFF-state diagnostic) —
Status / Diagnostic Output Yes —
Quiescent Current (standby) [DATA_NEEDED: Iq typ] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (industrial) -55 C to +150 C (TJ)
العلبة SOT-223-4 (PG-SOT223-4) PG-SC59-3 / SOT-23-3
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Family PROFET™ Industrial —
Channel Count 1 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified No (industrial grade only) Yes (per Infineon product family marking)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
عدد الأطراف — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر