ITS4200SMENHUMA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ITS4200SMENHUMA1 tarafından Infineon ve BSR315PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ITS4200SMENHUMA1 BSR315PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Ağ Yapısı N-Channel MOSFET, High-Side —
Nominal Load Current 0.7 A —
On-State Resistance (Ron) [DATA_NEEDED: Ron typ/max] —
Operating Voltage Range 5 V to 41 V —
Overvoltage Protection (Load Dump) 41 V —
Input Logic Level CMOS-compatible —
Short-Circuit Protection Yes (current limitation) —
Termal Kapatma Yes (with restart) —
Undervoltage Shutdown Yes —
Open-Load Detection Yes (OFF-state diagnostic) —
Status / Diagnostic Output Yes —
Quiescent Current (standby) [DATA_NEEDED: Iq typ] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C (industrial) -55 C to +150 C (TJ)
Paket SOT-223-4 (PG-SOT223-4) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Family PROFET™ Industrial —
Channel Count 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualified No (industrial grade only) Yes (per Infineon product family marking)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Pin Sayısı — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin