ITS4200SMENHUMA1 vs BSR315PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ITS4200SMENHUMA1 توسط Infineon و BSR315PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ITS4200SMENHUMA1 BSR315PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Smart High-Side Power Switch —
توپولوژی N-Channel MOSFET, High-Side —
Nominal Load Current 0.7 A —
On-State Resistance (Ron) [DATA_NEEDED: Ron typ/max] —
Operating Voltage Range 5 V to 41 V —
Overvoltage Protection (Load Dump) 41 V —
Input Logic Level CMOS-compatible —
Short-Circuit Protection Yes (current limitation) —
خاموشی حرارتی Yes (with restart) —
Undervoltage Shutdown Yes —
Open-Load Detection Yes (OFF-state diagnostic) —
Status / Diagnostic Output Yes —
Quiescent Current (standby) [DATA_NEEDED: Iq typ] —
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C (industrial) -55 C to +150 C (TJ)
بسته‌بندی SOT-223-4 (PG-SOT223-4) PG-SC59-3 / SOT-23-3
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Family PROFET™ Industrial —
Channel Count 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified No (industrial grade only) Yes (per Infineon product family marking)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
تعداد پایه — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت