K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WG-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $2.05 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| العلبة | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 512M x 8 |
| Speed Grade (example) | — | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC |
| نوع الواجهة | — | DDR4 (double data rate, source-synchronous) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| ODT | — | On-Die Termination (built-in) |
| CAS Latency (typical) | — | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |