K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G085WG-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4A4G085WD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $2.05 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps/pin | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| מארז | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| ארגון | — | 512M x 8 |
| Speed Grade (example) | — | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC |
| סוג ממשק | — | DDR4 (double data rate, source-synchronous) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| ODT | — | On-Die Termination (built-in) |
| CAS Latency (typical) | — | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |