K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G085WD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G085WD K4A4G085WD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 BGA | Samsung

K4A4G085WD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 BGA | Samsung

K4A4G085WD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $2.05
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (Volatile) DDR4 SDRAM
میموری سائز 4 Gb —
Memory Organization 512M x 8 —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps/pin Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent)
Speed Class DDR4-3200 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Technology D-die DDR4 —
پیکیج FBGA-78 (BCW) 78-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس Parallel (DDR4) —
Burst Length BL8 —
DLL Mode DLL Enabled (per datasheet timing) —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] [DATA_NEEDED: refresh interval]
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray —
Die Generation — D-die
Density — 4 Gb
تنظیم — 512M x 8
Speed Grade (example) — -BCPB (DDR4-2400), -BCRC
انٹرفیس ٹائپ — DDR4 (double data rate, source-synchronous)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
ODT — On-Die Termination (built-in)
CAS Latency (typical) — [DATA_NEEDED: CL per speed grade]
Lead-Free — [DATA_NEEDED: lead-free status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں