K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WG-BCWE توسط Samsung Electronics و K4A4G085WD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $2.05 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps/pin | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| سازمان | — | 512M x 8 |
| Speed Grade (example) | — | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC |
| نوع رابط | — | DDR4 (double data rate, source-synchronous) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| ODT | — | On-Die Termination (built-in) |
| CAS Latency (typical) | — | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |