K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BCWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $7.38 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | — |
| العلبة | 78FBGA | 78-FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | DDR4 (parallel, double data rate) | POD-12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| حالة RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| زمن الوصول CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |