K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BCWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $7.38 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | — |
| מארז | 78FBGA | 78-FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | DDR4 (parallel, double data rate) | POD-12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| השהיית CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |