K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WC-BCWE bằng Samsung Electronics và K4A8G085WC-BIWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WC-BCWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $7,38 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | — |
| Hộp | 78FBGA | 78-FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Giao diện | DDR4 (parallel, double data rate) | POD-12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latency CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |