K4A8G085WC-BCWE vs K4A8G085WC-BIWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCWE K4A8G085WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 DRAM 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 DRAM 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BCWE K4A8G085WC-BIWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $7.38 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C —
پیکیج 78FBGA 78-FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس DDR4 (parallel, double data rate) POD-12
Application Class Computing / Embedded main memory —
Manufacturer Samsung Electronics —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups (8n prefetch) —
Speed Bin Suffix -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per JLCPCB listing) Compliant
Refresh Standard DDR4 refresh mechanisms Auto-refresh, self-refresh
On-Die Termination Yes (DDR4 ODT) —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40°C to +95°C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
CAS لیٹنسی — 22 (CL22)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں