K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BIWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نهاية العمر الإنتاجي |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| العلبة | 78-FBGA | 78FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| زمن الوصول CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0 C to +85 C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |