K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCPB Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WC-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WC-BCPB sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Tapus ng BuhayPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | DRAM |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Tapus ng Buhay |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Rate ng Data | 3200 Mbps | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Packhaging | 78-FBGA | 78FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latensya ng CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Tindminan RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.2 V |
| Temperature na Operasyon | — | 0 C to +85 C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| Mga Karakteristika | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |