K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ اختتامِ زندگی

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BCPB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال اختتامِ زندگی
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 2133 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +95°C —
پیکیج 78-FBGA 78FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس POD-12 —
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
CAS لیٹنسی 22 (CL22) [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Auto-refresh, self-refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0 C to +85 C
Number of Terminals — 78
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Speed Grade — DDR4-2133
خصوصیات — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں