K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC-BIWE द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | उत्पादन बंद |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 78-FBGA | 78FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS लेटेंसी | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0 C to +85 C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |