K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BIWE توسط Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | پایان عمر محصول |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| تأخیر CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| دمای کاری | — | 0 C to +85 C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |