K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BIWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $7.38 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| العلبة | 78-FBGA | 78FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | POD-12 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| زمن الوصول CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +85C |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |