K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCWE K4A8G085WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 DRAM 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 DRAM 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BCWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $7.38
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +95°C —
پیکیج 78-FBGA 78FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس POD-12 DDR4 (parallel, double data rate)
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
CAS لیٹنسی 22 (CL22) —
Refresh Auto-refresh, self-refresh Standard DDR4 refresh mechanisms
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Lead-Free Yes —
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0C to +85C
Application Class — Computing / Embedded main memory
Manufacturer — Samsung Electronics
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (8n prefetch)
Speed Bin Suffix — -BCWE (DDR4-3200, commercial temp)
On-Die Termination — Yes (DDR4 ODT)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں