K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WC-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $7.38 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| מארז | 78-FBGA | 78FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | POD-12 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| השהיית CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +85C |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |