K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCWE তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WC-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCWE K4A8G085WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 DRAM 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 DRAM 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCWE ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BCWE
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস — In Stock
ইউনিট মূল্য (USD) — $7.38
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
সংগঠন 1G x 8 1G x 8
ডেটা রেট 3200 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40°C to +95°C —
প্যাকেজ 78-FBGA 78FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
ইন্টারফেস POD-12 DDR4 (parallel, double data rate)
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
CAS লেটেন্সি 22 (CL22) —
Refresh Auto-refresh, self-refresh Standard DDR4 refresh mechanisms
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Lead-Free Yes —
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V
অপারেটিং তাপমাত্রা — 0C to +85C
Application Class — Computing / Embedded main memory
Manufacturer — Samsung Electronics
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (8n prefetch)
Speed Bin Suffix — -BCWE (DDR4-3200, commercial temp)
On-Die Termination — Yes (DDR4 ODT)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট