K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCWE Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WC-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WC-BCWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Katayuan ng Stock | — | In Stock |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $7.38 |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Rate ng Data | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Packhaging | 78-FBGA | 78FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latensya ng CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.2 V |
| Temperature na Operasyon | — | 0C to +85C |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |