K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCRC بواسطة Samsung Electro-Mechanics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $19.69 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| الواجهة | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel, 16-bit DDR |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1333 MHz |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| حالة RoHS | — | Compliant |