K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WC-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $19,69
Bellek Türü DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Arayüz Parallel (DDR4 SDRAM bus) Parallel, 16-bit DDR
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Veri Hızı 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 2400 Mbps
Technology CMOS, B-die 8Gb die —
Paket 96-ball FBGA (PBGA96) 96-FBGA (TFBGA)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40C to +95C 0 C to +95 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) 1333 MHz
Organizasyon — 512M x 16
Besleme Gerilimi — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Özellikler — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin