K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ सक्रियSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| श्रेणी | Memory ICs | EEPROM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $19.69 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel, 16-bit DDR |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| डेटा दर | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1333 MHz |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |