K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WC-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
زمرہ Memory ICs EEPROM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $19.69
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
انٹرفیس Parallel (DDR4 SDRAM bus) Parallel, 16-bit DDR
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 2400 Mbps
Technology CMOS, B-die 8Gb die —
پیکیج 96-ball FBGA (PBGA96) 96-FBGA (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +95C 0 C to +95 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) 1333 MHz
تنظیم — 512M x 16
سپلائی وولٹیج — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
خصوصیات — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں