K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| קטגוריה | Memory ICs | EEPROM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $19.69 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ממשק | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel, 16-bit DDR |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| קצב נתונים | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| מארז | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA (TFBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1333 MHz |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| תכונות | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |