K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WC-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $19,69
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Giao diện Parallel (DDR4 SDRAM bus) Parallel, 16-bit DDR
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 2400 Mbps
Technology CMOS, B-die 8Gb die —
Hộp 96-ball FBGA (PBGA96) 96-FBGA (TFBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -40C to +95C 0 C to +95 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) 1333 MHz
Tổ chức — 512M x 16
Điện áp cung cấp — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Tính năng — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá