K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | EEPROM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $19.69 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| رابط | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel, 16-bit DDR |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| نرخ داده | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA (TFBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -40C to +95C | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1333 MHz |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |