K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4-75BIN مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics و AS4C512M16D4-75BIN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ نشطAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | -40°C to +95°C |
| العلبة | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13) |
| Die Generation | B-die | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| الواجهة | DDR4 (parallel, double data rate) | POD |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| حالة RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |