K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4-75BIN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCTD द्वारा Samsung Electronics और AS4C512M16D4-75BIN द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | -40°C to +95°C |
| पैकेज | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13) |
| Die Generation | B-die | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (parallel, double data rate) | POD |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |