K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4-75BIN তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও AS4C512M16D4-75BIN নির্দিষ্ট Alliance Memory. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ সক্রিয়Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | -40°C to +95°C |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13) |
| Die Generation | B-die | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | DDR4 (parallel, double data rate) | POD |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |