K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4-75BIN موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور AS4C512M16D4-75BIN بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | -40°C to +95°C |
| پیکیج | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13) |
| Die Generation | B-die | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| انٹرفیس | DDR4 (parallel, double data rate) | POD |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| میموری سائز | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |